U6516 – Schaltkreis IC 16kbit Schreib-Lese-Speicher

U6516 – Schaltkreis IC 16kbit Schreib-Lese-SpeicherDer U6516 Schaltkreis ist ein 16kbit statischer Schreib-Lese-Speicher (TGL 43078) mit einer Speicherkapazität von 2048 x 8  = 16384 bit. Die Zugrifsszeiten des U6516 liegen bei 150ns und 250ns. Der Schaltkreis arbeitet mit der CMOS-Technologie und besitzt Adressenlatch, Tri-state Ausgänge sowie TTL kompatible Anschlüsse. Der U6516 bzw. seine verschiedenen Typen sind in einem 24poligen DIL-Gehäuse für Schaltkreise untergebracht.

Typenspektrum des U6516 Schaltkreises

Die folgenden Typen sind alle dem Schaltkreis U6516 zuzuordnen:

  1. U6516 DG15 – Grundtyp
  2. UL6516 DC15 – Selektionstyp
  3. UL6516 DG15 – Selektionstyp (siehe Abbildung – Zusatzspeichers ZS02 für den F2000)
  4. U6516 DG25 – Anfalltyp

Betriebsartensteuerung des U6516

Betriebsart CE WE OE Datenanschlüsse
D0…D7
ruhend H X X Ausgänge hochohmig
internes Lesen L H H Ausgänge hochohmig
lesen L H L Ausgänge aktiv
schreiben L L H Anschlüsse arbeiten als Eingänge

CE – Chip-Enable = Schaltkreisfreigabe
WE – Schreib-Lese-Steuerung
OE – Output-Enable = Freigabe der Ausgänge des DDR Schaltkreises

Grenzwerte für alle Typen des U6516

Die folgenden Grenzwerte gelten für alle Typen des DDR Schaltkreises und sind beim Einsatz zu beachten.

Benennung Kurzzeichen min. max. Einheit Typen
Betriebsspannung UCC -0,3 7 V alle
Eingangsspannung UI -0,3 UCC + 0,3 V alle
Verlustleistung PTOT 1 W alle
Betriebstemperatur ρa  -25 +85 °C U6516DG15
UL6516DG15
U6516DG25
 0 +70 °C UL6516DC15
Lagerungstemperatur ρstg -55 +155 °C alle

Betriebsbedingungen für alle Typen des DDR Schaltkreises

Benennung Kurzzeichen min. max. Einheit
Betriebsspannungen UCC 4,75 5,25 V
L-Eingangsspannung UIL -0,3 0,8 V
H-Eingangsspannung UIH 2 UCC + 0,3 V
Adressvorhaltezeit tAVCL 10 ns

Statische Kennwerte der vier Typen

Benennung Kurzzeichen U6516 DG15/DG25 UL6516 DG15/DC15 Einheit Bedingungen
min. max. min. max.
Betriebsstromaufnahme ICC 20 20 mA f = 1 MHz
UCC = 5V 25°C
Ruhestromaufnahme ICCSB 50 5 µA
Schlafstromaufnahme ICCS 20 3 µA UCC = 2V
UI = 0V
L-Ausgangsspannung UOL 0,4 0,4 V IO = 3,2mA
H-Ausgangsspannung UOH 2,4 2,4 V IO = -1mA
Eingangsleckstrom ILI -1 +1 -1 +1 µA UCC = 5,25V
Eingangskapazität CI 8 8 pF

Anschlussbelegung des DDR CMOS Schaltkreises

U6516_Anschlussbelegung